Установка вакуумного напыления УВН-71П-3М-2, предназначена для
одностороннего нанесения металлических и резистивных пленок на поликоровые и
ситалловые подложки методом магнетронного вакуумного напыления при производстве
гибридно-пленочных микросхем.
Максимальное количество единовременно обрабатываемых подложек размером
60х48х(0,5…1,0) мм 11 шт.
Установка имеет 3 магнетронных испарителя.
Время достижения остаточного давления 4 х 10-4 Па в рабочей камере
после открытия высоковакуумного затвора не более 60 мин.
Установка обеспечивает:
-регулирование скорости вращения карусели с
подложками в диапазоне от 10 до 60 об/мин;
-нагрев карусели с подложками до 300 °С;
-контроль сопротивления свидетеля
напыления пленки на подложки в диапазоне от 0 до 100 кОм;
- мощность источника ионов до 200 Вт;
-мощность первого магнетронного испарителя
адгезионного материала до 2 кВт;
-мощность второго магнетронного испарителя
проводящего материала и третьего магнетронного испарителя резистив...
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков