Фотоэлектрический элемент Q[1] 5BB, где [1] – ячейка классы боюнча ТУ 1.2.2, 5BB – модулдарды чогултуу үчүн желим технологиясы — HEVEL LLC

Name: Фотоэлектрический элемент Q[1] 5BB, где [1] – ячейка классы боюнча ТУ 1.2.2, 5BB – модулдарды чогултуу үчүн желим технологиясы
Brand: HEVEL
SKU: 285000
Availability: InStock

Бренд: HEVEL

сом 78.30 - сом 261 KGS

MOQ: 2000 pieces

Негизги мүнөздөмөлөр

power: 5.275...5.725 W

efficiency: 23.4 %

Short-circuit current tolerance: 3 %

Tolerance of no-load voltage: 3 %

Жеткирүүчү жөнүндө маалымат

HEVEL LLC

🇷🇺 📦 🏭 🛡️

Бардык товарларды көрүү (16)

Тез сурам

Дагы ушул бренддин товарлары HEVEL

Фотоэлектрический элемент HVL Cell G1 SW

сом 78.30-сом 261

Фотоэлектрикалык элементтердин HVL String 5BB

сом 52.20-сом 522

Фотоэлектрический модуль HVL Flex

сом 13,050-сом 156,600

High-Voltage Photovoltaic Module HVL 156 MBB M10

сом 36,540-сом 156,600

Фотоэлектрический элемент HVL Cell M6 MBB

сом 104.40-сом 365.40

Фотоэлектрический модуль HVL 144 MBB M10

сом 23,490-сом 57,420

Фотоэлектрический элемент Q [1], где [1] – ячейка классы боюнча ТУ 1.2.2

сом 78.30-сом 313.20

Фотоэлектрикалык элементтердин HVL String тізбеги

сом 783-сом 2,610

Фотоэлектрический модуль HVL 72 GG 370/402 BB

сом 23,490-сом 62,640

Фотосунчук модулу HVL 72 GG [1] BB, бул: HVL – модулдун шарттуу белгиси, [1] – модулдун түрү ТУнун 1.2.3 пунктуна ылайык

сом 23,490-сом 57,420

Фотоэлектрический модуль HVL

сом 15,660-сом 46,980

Фотоэлектрический модуль HVL 66 GG

сом 13,050-сом 36,540

Фотоэлектрический модуль HVL 144 MBB

сом 23,490-сом 62,640

Фотоэлектрический модуль HVL BIPV

сом 31,320-сом 261,000

Сүрөттөмө

Фотоэлектрикалык элементтер күн нурларын туруктуу ток электр энергиясына айландыруу үчүн колдонулат жана фотоэлектрикалык чынжырларды жана андан ары модулдарды өндүрүү үчүн арналган. Фотоэлектрикалык элементтер монокристалдык n-легирленген кремнийден жасалган псевдоквадрат формасындагы плиткалар болуп саналат, алар аморфтук кремний, ачык өткөргүч катмарлар жана басылган ток өткөрүүчү тор менен капталган.

Алдыңкы жана арткы байланыштар текстураланган анти-рефлексиялык ТСО каптоосунда жасалган.

Өндүрүштө ГК «Хевел» өзүнүн илимий-техникалык борбору тарабынан иштелип чыккан кристалдык кремнийде гетероструктуралык күн элементтерин түзүү үчүн уникалдуу технология колдонулат. Ячейкалардын жогорку КПДсы - 23,5%.

Мүнөздөмөлөр

power

5.275...5.725 W

efficiency

23.4 %

Short-circuit current tolerance

3 %

Tolerance of no-load voltage

3 %

Production capacity tolerance

3 %

Maximum power current

8.94 A

Short-circuit current

9.4 A

Maximum power voltage

0.641 V

No-load voltage

0.734 V

technology

HJT

Weight, g

7.9

Cell type

M2, M2+

thickness

0.14 mm

width

157.35 mm

length

157.35 mm