Фотоэлектрлік элемент Q[1] 5BB, мұндағы [1] – жасуша класы 1.2.2 ТУ сәйкес, 5BB – модульдерді жинаудың желім технологиясы — HEVEL LLC

Name: Фотоэлектрлік элемент Q[1] 5BB, мұндағы [1] – жасуша класы 1.2.2 ТУ сәйкес, 5BB – модульдерді жинаудың желім технологиясы
Brand: HEVEL
SKU: 285000
Availability: InStock

Бренд: HEVEL

₸427.50 - ₸1,425 KZT

MOQ: 2000 pieces

Негізгі сипаттамалар

power: 5.275...5.725 W

efficiency: 23.4 %

Short-circuit current tolerance: 3 %

Tolerance of no-load voltage: 3 %

Жеткізуші туралы ақпарат

HEVEL LLC

🇷🇺 📦 🏭 🛡️

Барлық тауарларды көру (16)

Жылдам сұраныс

Тағы осы брендтен HEVEL

Фотоэлектрический элемент HVL Cell G1 SW

₸427.50-₸1,425

Фотоэлектрические элементы HVL String 5BB

₸285-₸2,850

Фотоэлектрический модуль HVL Flex

₸71,250-₸855,000

High-Voltage Photovoltaic Module HVL 156 MBB M10

₸199,500-₸855,000

Фотоэлектрлік элемент HVL Cell M6 MBB

₸570-₸1,995

Фотогальваникалық модуль HVL 144 MBB M10

₸128,250-₸313,500

Фотоэлектрлік элемент Q [1], мұнда [1] – ұяшықтар класы 1.2.2 ТУ сәйкес

₸427.50-₸1,710

Фотоэлектрлік элементтер тізбегі HVL String

₸4,275-₸14,250

Фотогальваникалық модуль HVL 72 GG 370/402 BB

₸128,250-₸342,000

Фотогальваникалық модуль HVL 72 GG [1] BB, мұнда: HVL – модульдің шартты белгіленуі, [1] – модульдің түрі 1.2.3 ТУ сәйкес

₸128,250-₸313,500

Фотоэлектрлік модуль HVL

₸85,500-₸256,500

Фотоэлектрлік модуль HVL 66 GG

₸71,250-₸199,500

Фотогальваникалық модуль HVL 144 MBB

₸128,250-₸342,000

HVL BIPV фотоэлектрлік модулі

₸171,000-₸1,425,000

Сипаттама

Фотоэлектрлік элементтер күн сәулесін тұрақты ток электр энергиясына айналдырады және фотоэлектрлік тізбектер мен модульдер жасауға арналған. Фотоэлектрлік элементтер монокристалдық n-легирленген кремнийден жасалған псевдоквадратты пластиналар болып табылады, олар аморфты кремний қабаттарымен, мөлдір өткізгіш қабаттармен және басып шығарылған ток өткізгіш тормен жабдықталған.

Алдыңғы және артқы контактілер текстураланған антирефлексиялық ТСО-қабат түрінде орындалған.

Өндірісте кристалдық кремнийде гетероструктуралық күн элементтерін жасау үшін ерекше технология қолданылады, ол ГК «Хевел» ғылыми-техникалық орталығында әзірленген. Жасушалардың тиімділігі жоғары - 23,5%.

Сипаттамалар

power

5.275...5.725 W

efficiency

23.4 %

Short-circuit current tolerance

3 %

Tolerance of no-load voltage

3 %

Production capacity tolerance

3 %

Maximum power current

8.94 A

Short-circuit current

9.4 A

Maximum power voltage

0.641 V

No-load voltage

0.734 V

technology

HJT

Weight, g

7.9

Cell type

M2, M2+

thickness

0.14 mm

width

157.35 mm

length

157.35 mm