Name: فوتوديود سيليكوني FD-265 للكشف عن الإشعاع الكهرومغناطيسي
Brand: FD-265
SKU: 235890
Availability: InStock

فوتوديود سيليكوني FD-265 للكشف عن الإشعاع الكهرومغناطيسي — ش.م مصنع سابفير

العلامة التجارية: FD-265

$0.60 - $6 USD

MOQ: 1000 pieces

الميزات الرئيسية

Mark: FD-265

Type: General purpose silicon photodiode

View: Photodetector

Dark current, not more, µA: 5

الوصف

Silicon photodiode in glass-metal case, serves for registration of visible and near-infrared ranges of electromagnetic radiation; Current integral sensitivity not less than 7,5*10-3 ?A/lm; Spectral sensitivity area: 0,4 ÷ 1,1 ?m; Number of photosensitive sites: 1; Dark current: 5 ?A

المواصفات

Mark

FD-265

Type

General purpose silicon photodiode

View

Photodetector

Dark current, not more, µA

Number of photosensitive sites

1 ميكروغراي

Spectral sensitivity area, µm

0,4 - 1,1

Current integral sensitivity, not less, µA/lk

7,5*10-3

منتجات ذات صلة

دياود السيليكون فوتوديوود FD-24K

$0.30-$2.40 USD

Current integral sensitivity, µA/lk: 0.47

ش.م مصنع سابفير 🇷🇺

Silicon Photodiode FD-265 for Visible and Near-IR Detection

كاشف ضوئي سيليكوني FD-265

$0.30-$2.40 USD

Spectral sensitivity area, µm: 0.4...1.1

ش.م مصنع سابفير 🇷🇺

High-Resistance Silicon Photodiode FD342M

فوتودايود سيليكون عالي المقاومة FD342M

$0.30-$2.40 USD

Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1

ش.م ن.ب.و "أوريون 🇷🇺

Rectifiers for Power Supply of Polycrystalline and Monocrystalline Silicon Production

مقومات لتغذية إنتاج السيليكون متعدد البلورات والأحادي البلورات

$90,000-$600,000 USD

Rated rectified output current: 1000...7500

Rated rectified voltage: 60...1000

ش.م روسيلكو 🇷🇺

Powerful Silicon Epitaxial-Planar n-p-n Switching Transistor KT879A

ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A

$0.30-$1.80 USD

Boundary voltage: 150

Resorption time: 1.5

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829A

الترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A

$6-$60 USD

Initial drain current: 0.001

Drain-to-source resistance in open state: 0.5

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

Silicon Epitaxial-Planar N-P-N Transistor 2T368A/PK

ترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK

$0.30-$2.40 USD

Boundary voltage: 15

Static current transfer coefficient: 50...300

ش.م "أرسنال" مصنع أشباه الموصلات 🇷🇺

ترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9

$0.03-$0.24 USD

Boundary voltage: Not less than 45 V

Maximum permissible DC collector-to-base voltage: Not more than 50 V

ش.م مجموعة كريمني إل 🇷🇺

Photodiode FD-252 for High-Speed Light Detection

فوتوديود FD-252 للكشف عن الضوء عالي السرعة

$0.30-$1.80 USD

Model: FD-252

ش.م ن.ب.و "أوريون 🇷🇺

Powerful Silicon High Voltage N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829G

ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G

$0.90-$3.60 USD

Initial drain current: 0.0005

Drain-to-source resistance in open state: 0.05

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829I9

ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9

$0.60-$6 USD

Initial drain current: 0.0005

Drain-to-source resistance in open state: 0.05

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

Silicon Planar Diodes KД409 in KT-46 Package

ديودات سيليكونية كД409 في علبة كТ-46

$0.01-$0.06 USD

Case: KT-46

ش.م أوك بي-بلانيتا 🇷🇺

Silicon Epitaxial Planar Diode Set 2D707AS9/PK

مجموعة ثنائي السيليكون الإيبيتاكسيالي 2D707AS9/PK

$0.06-$0.60 USD

Breakdown voltage: 70

Direct voltage: 1

ش.م "أرسنال" مصنع أشباه الموصلات 🇷🇺

High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829B

ترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B

$9-$36 USD

Initial drain current: 0.001

Drain-to-source resistance in open state: 1

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

High-Voltage NPN Silicon Switching Transistor KT8155G

ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G

$0.30-$1.80 USD

Case: two types of housing

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

Silicon Epitaxial-Planar Transistor for Radio Engineering KT3187B9

ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9

$0.03-$0.18 USD

Case: KT-46

ش.م أوك بي-بلانيتا 🇷🇺

High Voltage N-P-N Silicon Planar Switching Transistor KT8190V

ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V

$0.90-$3.60 USD

Model: KT8190B

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

فوتودايود حساس FD342-02

$0.90-$6 USD

Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1

ش.م ن.ب.و "أوريون 🇷🇺

Silicon N-P-N Switching Transistor KT908A

ترانزستور سيليكون N-P-N KT908A

$0.06-$0.60 USD

Collector-emitter saturation voltage: 1.5

Static current transfer coefficient: 8-60

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

High Voltage N-P-N Silicon Planar Switching Transistor KT8121B2

ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2

$0.90-$3.60 USD

Model: KT8121B2

ش.م مصنع إسكرا 🇷🇺

فوتوديود سيليكوني FD-265 للكشف عن الإشعاع الكهرومغناطيسي — ش.م مصنع سابفير

الميزات الرئيسية

الوصف

المواصفات

منتجات ذات صلة

دياود السيليكون فوتوديوود FD-24K

كاشف ضوئي سيليكوني FD-265

فوتودايود سيليكون عالي المقاومة FD342M

مقومات لتغذية إنتاج السيليكون متعدد البلورات والأحادي البلورات

ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A

الترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A

ترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK

ترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9

فوتوديود FD-252 للكشف عن الضوء عالي السرعة

ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G

ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9

ديودات سيليكونية كД409 في علبة كТ-46

مجموعة ثنائي السيليكون الإيبيتاكسيالي 2D707AS9/PK

ترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B

ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G

ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9

ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V

فوتودايود حساس FD342-02

ترانزستور سيليكون N-P-N KT908A

ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2

فئات ذات صلة

العثور على منتجات مماثلة حسب الفئة

العلامات التجارية الشائعة