Радиационно- стойкая микросхема 1657РУ1У статического синхронного КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8 предназначена для использования в бортовой аппаратуре различного назначения.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
‒технология изготовления: 250 нм КМОП;
‒тип памяти: статическая, асинхронная;
‒организация памяти: 512К×8;
‒время выборки адреса:
○ типовое 25 нс;
○ во время и непосредственно после ВВФ и радиационного воздействия не более 40 нс;
‒типовая потребляемая мощность: 80 мВт;
‒напряжения питания: 2,5 В и 3,3 В;
‒температурный диапазон: от –60 до +125 °С;
‒корпус металлокерамический LCC-44, 16,5 x 16,5 мм;
‒атмосферное пониженное рабочее давление: 10-6 мм рт. ст.;
‒масса микросхемы не более 3,0 г;
‒микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 1000 В;
‒корпус: LCC44, 16,5 x 16,5 мм, шаг по выводам 1,27 мм.
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков