Назначение: Установка низкотемпературного плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения предназначена для формировании барьерных и диэлектрических нанослоев, в том числе high-k подзатворных ферроэлектрических и/или сегнетоэлектрических диэлектриков для оперативных энергонезависимых ЗУ типа FRAM (Ferroelectric Random Access Memory).
Технические параметры установки
Максимальный диаметр обрабатываемых пластин, мм200
Загрузка/выгрузка пластин из кассеты в кассетуНаличие
Количество одновременно обрабатываемых изделий при ⌀200 мм, шт.1
Предельное остаточное давление в рабочей камере (при закрытом шлюзе), Па6*10-4
Рабочее давление в камере, Па1 ÷ 200
Остаточное давление в распределительном модуле, Па8
Температура подложкодержателя, ˚С25 ÷ 300
Количество газовых линий с регуляторами расхода газов, шт.8
ВЧ мощность, подводимая к источнику индуктивно- связанной плазмы (ICP), Вт0 ÷ 600
Частота ВЧ сигналов, подводимых к источнику индуктивно- связанной плазмы (ICP), МГц13...
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков