KV156 Varicaps in KD-36 Housing

Варикапы КВ156 в корпусе КД-36

US$0.06-0.60
Case: KD-36
Case: KD-36
АО "ОКБ-ПЛАНЕТА" 🇷🇺
Silicon Planar Transistor 2T117V OSH for Electronic Devices

Транзистор 2Т117В ОСМ

US$0.30-1.80
Inter-basic resistance: 6000...9000
Residual stress: 5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Sensitivity Photodiode FD342-02

Фотодиод ФД342-02

US$0.90-6
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
АО "НПО "ОРИОН" 🇷🇺
P-N-P Silicon Transistor KT234V9

Кремниевый p-n-p транзистор КТ234В9

US$0.03-0.24
Boundary voltage: Not less than 45 V
Maximum permissible DC collector-to-base voltage: Not more than 50 V
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Two-Anode Semiconductor Voltage Stabilizers for Reliable Voltage Control

Полупроводниковые стабилитроны

US$0.06-0.60
ООО "СЗТП" 🇷🇺
High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829A

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829А

US$6-60
Initial drain current: 0.001
Drain-to-source resistance in open state: 0.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Power DMOS Transistors 2P7242A-4

Мощные полевые ДМОП-транзисторы 2П7242А-4

US$3-18
Maximum allowable DC drain-to-source voltage: 600
Maximum permissible DC drain current: 20
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829B

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829Б

US$9-36
Initial drain current: 0.001
Drain-to-source resistance in open state: 1
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Power DMOS Transistors 2P7246A-5

Мощные полевые ДМОП-транзисторы 2П7246А-5

US$0.30-1.80
Maximum allowable DC drain-to-source voltage: 60
Drain-to-source resistance in open state: 0.03
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Silicon Epitaxial Planar Diode Set 2D707AS9/PK

Диоды 2Д707АС9/ПК

US$0.06-0.60
Breakdown voltage: 70
Direct voltage: 1
АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺
Silicon Planar Diodes KД409 in KT-46 Package

Диоды КД409 в корпусе КТ-46

US$0.01-0.06
Case: KT-46
Case: KT-46
АО "ОКБ-ПЛАНЕТА" 🇷🇺

Разместите заявку на закупку

Получите предложения от проверенных поставщиков

Экономьте время
IGBT Gate Driver KDR8/1700 - Efficient Control Solution

Драйвер управления затвором IGBT КДР8/1700

US$90-300
Output current (pulse), A: 8
Power supply voltage: 15
АО "АНГСТРЕМ" 🇷🇺
Compact N-Channel Field Transistor 2P526A9

Полевой транзистор 2П526А9

US$0.06-0.36
Maximum power dissipation: 0.625
Operating temperature: -60 to +125
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
P-Channel MOSFET Transistor An10P20

ДМОП P-канальный транзистор An10P20

US$0.60-6
Maximum allowable voltage: -200
Maximum permissible current: -10
АО "АНГСТРЕМ" 🇷🇺
DMOП P-Channel Transistor AnP53P03

ДМОП P-канальный транзистор AnP53P03

US$0.06-0.36
Maximum allowable voltage: -30
Maximum permissible current: 53
АО "АНГСТРЕМ" 🇷🇺
Powerful NPN Amplifying Transistors Special Purpose 2T908A-2

Мощные NPN усилительные транзисторы специального назначения 2Т908А-2

US$0.90-3.60
Static current transfer coefficient: 8-60
Static current transfer coefficient: 8-60
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Powerful N-Channel DMOP Transistors 2P7246A91

Мощные полевые ДМОП-транзисторы 2П7246А91

US$0.90-3.60
Maximum allowable DC drain-to-source voltage: 60
Maximum permissible DC drain current: Flat grinder, Specialised grinder
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High Voltage Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829G9

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829Г9

US$6-60
Initial drain current: 0.0005
Drain-to-source resistance in open state: 0.05
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Frequency Impulse Transistors for Special Applications 2T603B/IU

Высокочастотные импульсные транзисторы специального назначения 2Т603Б/ИУ

US$0.90-3.60
Collector reverse current: 3.0E-6
Collector junction capacitance: 1.5E-11
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Power Matched Pair of Field Transistors K504HT3A

Микросхема К504НТ3А

US$0.30-1.80
Analog: 2?3336
Analog: 2?3336
АО "ВОСХОД"-КРЛЗ 🇷🇺
Special Purpose Transistor Optocoupler 3OT127A

Оптопары транзисторные специального назначения 3ОТ127А

US$0.30-1.80
Input voltage: 1.6
Output residual voltage: 1.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Silicon Epitaxial-Planar Transistor for Radio Engineering KT3187B9

Транзистор КT3187Б9

US$0.03-0.18
Case: KT-46
Case: KT-46
АО "ОКБ-ПЛАНЕТА" 🇷🇺
Special Resistant Driver for N-Channel MOSFETs 1364АП1Т

1364АП1Т Спецстойкий драйвер управления транзисторами

US$6-60
Data: Switching delay time up to 150 ns, 3.0 µm CMOS CNS technology, Supply voltage from 9V to 36V, Input control current up to 0.1 mA, Output voltage from 8V to 20V, Output voltage rise time at 5000 pF load 120 ns, Output decay time
Type of product according to PP RF 616: Integrated electronic circuits
ФГУП "РФЯЦ - ВНИИЭФ" 🇷🇺
Miniature Silicon Epitaxial-Planar n-p-n Transistor 2T368A9/PC

Транзистор 2Т368А9/ПК

US$0.06-0.60
Gain factor: 50-300
Gain factor: 50-300
АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺
Silicon Epitaxial-Planar N-P-N Transistor 2T368A/PK

Транзистор 2Т368А/ПК

US$0.30-2.40
Boundary voltage: 15
Static current transfer coefficient: 50...300
АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺
Low-Frequency Thyristor T393-5000

Тиристор низкочастотный Т393-5000

US$9-36
Repetitive pulsed reverse voltage: 1800
Average direct current: 5000
АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" 🇷🇺
Thyristor Starting Device PU-6-08R UHL4 for Turbo Generator TZFG-160

Устройство пусковое тиристорное ПУ-6-08Р УХЛ4 турбогенератора ТЗФГ-160

US$90,000-300,000
Output voltage regulation range: 0...6000
Rated input current: 800
АО "СИЛОВЫЕ МАШИНЫ" 🇷🇺
Soft Starter Thyristor Device UBPVD-VC

Пусковые тиристорные устройства типа УБПВД-ВЦ

US$9,000-60,000
Rated power of the motors to be started: 200...20000
Nominal voltage: 6...15.75
АО "ВНИИР" 🇷🇺
Static Thyristor Excitation System STR

СТР - Система возбуждения тиристорная резервная

US$15,000-60,000
Rated rectified current, max.: 7200
Rated rectified voltage, max.: 800
АО "ЭНЕРГОКОМПЛЕКТ" 🇷🇺
MD/Th-650-12-A2 Combination Thyristor-Diode

Тиристор комбинированно-выключаемый МД/Тх-650-12-A2

US$9-36
Average direct current: 650
Repetitive pulsed reverse voltage: 1000
АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" 🇷🇺
Compact NPN Bipolar Transistor KT665A9 for Surface Mount

КТ665А9 транзистор биполярный

US$0.03-0.24
Ik max: 1
Uke max: 100
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
High-Performance EMS-1060-1500 Laser Diode

Лазерный диод модели EMS-1060-1500

US$3-18
Output optical power: 1.5
Radiation wavelength: 1060
ООО "ЭЛЬФОЛЮМ" 🇷🇺
High-Power Laser Diode 750-990nm, Model YDGK.433751.395

Лазерный диод ЯДГК.433751.395

US$60-600
Laser power: 5...20
Wavelength of the maximum envelope of the laser spectrum, nm: 750...990
ООО "НПП "ИНЖЕКТ" 🇷🇺
High-Resistance Silicon Photodiode FD342M

Фотодиод ФД342М

US$0.30-2.40
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
АО "НПО "ОРИОН" 🇷🇺
Photodiode FD-252 for High-Speed Light Detection

Фотодиод ФД-252

US$0.30-1.80
Model: FD-252
Model: FD-252
АО "НПО "ОРИОН" 🇷🇺
Powerful NPN Switching Transistors for Special Applications 2T856G

Мощные NPN переключательные транзисторы специального назначения 2Т856Г

US$0.90-3.60
Boundary voltage: 450
Collector-emitter saturation voltage: 1.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Speed Thyristor TBCH123-200 for DC and AC Applications

Тиристор быстродействующий высокочастотный ТБЧ123-200

US$9-36
Repetitive pulsed reverse voltage: 1400
Average direct current: 200
АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" 🇷🇺
High-Frequency Fast-Acting Thyristor TBCH153-800

Тиристор быстродействующий высокочастотный ТБЧ153-800

US$9-36
Repetitive pulsed reverse voltage: 1400
Average direct current: 800
АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" 🇷🇺
Field-effect P-Channel Transistor 2P527A9

Полевой транзистор 2П527А9

US$0.06-0.60
Maximum power dissipation: 0.625
Threshold voltage: -3.5
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
High-Power Special Purpose Field Effect Transistors 2P7152A

Мощные полевые переключательные транзисторы специального назначения 2П7152А

US$0.90-3.60
Initial drain current: 5.0E-6
Drain-to-source resistance in open state: 0.012
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Stabilitron KS108A-B Voltage Regulator

Стабилитрон КС108А-В

US$0.03-0.18
Rated stabilization voltage: 6.4
Rated stabilisation current: 0.0075
АО "ОПТРОН" 🇷🇺
Powerful NPN Transistor 2T808A for Special Applications

Мощные NPN усилительные транзисторы специального назначения 2Т808А

US$0.60-6
Static current transfer coefficient: 10-50
Static current transfer coefficient: 10-50
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Powerful NPN Switching Transistor 2T808A-2 for Special Applications

Мощные NPN усилительные транзисторы специального назначения 2Т808А-2

US$0.90-3.60
Static current transfer coefficient: 10-50
Static current transfer coefficient: 10-50
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
High-Frequency p-n-p Transistor 2T3108A/PK

Транзистор 2Т3108А/ПК

US$0.30-1.80
Breakdown voltage: 60
Static current transfer coefficient: 50...150
АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺
Silicon Epitaxial Planar p-n-p Transistor 2T3129B9/PK

Транзистор 2Т3129В9/ПК

US$0.03-0.24
Boundary voltage: 40
Static current transfer coefficient: 80-250
АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺
Special Purpose Thyristor Optocouplers 3OU186B

Оптопары тиристорные специального назначения 3ОУ186В

US$0.90-3.60
Input voltage: 1.9
Turn-on time: 5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺